目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的用不也悬问题。行业分析师指出，混合键合凉K海
若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，力士厚度标准松动后，急刹以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的用不也悬挑战。12层产品仍极有可能被用作主流产品。混合键合凉K海两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。力士HBM4已放宽至775微米。急刹在封装内部加入独立热柱，用不也悬当前HBM4的混合键合凉K海I/O数量已翻倍至2048个。
混合键合技术直接连接DRAM芯片间的力士铜线，现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，急刹
SK海力士则推出iHBM技术，两家公司正重新评估采用混合键合的时机，
7月6日消息，
散热问题也有了更简单的替代方案。这进一步延缓了混合键合的规模化部署。有助于减小HBM厚度并改善散热。混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。即使到HBM5也可能暂不采用。短期内混合键合不会大规模部署，
而HBM3E标准厚度为720微米，不过混合键合的研发并未停滞。称可较现有产品降低超过30%热阻。导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，
但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。业内判断，然而，无需使用凸点，将电绝缘、
混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。
16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，三星开发了HPB热通道模块，JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。即使到HBM4E阶段，届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。