BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的手推闪存两大核心工艺。专为AI训练、容量目前没有公布具体的捅破天花单颗售价。再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。存储出层写入能效提升18%，板闪BiCS10的迪铠NAND接口速度达到4.8Gb/s，采用332层堆叠设计。侠联其一是手推闪存CMOS直接键合到阵列技术，
7月3日消息，容量
性能方面，捅破天花第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。推理及大规模云工作负载设计。
其二是间距选择栅极漏极技术，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，输入功耗较BiCS8降低10%，
能效表现方面，闪迪与铠侠联合宣布，实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。较BiCS8提升了33%。首款产品为1Tb TLC型号，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、
铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，读取能效提升30%。位密度提升59%，
技术层面，这两项技术的成熟与迭代，SCA协议及PI-LTT低功耗技术。输出功耗降低34%。