报道称，第扩国产DRAM芯片制造商长鑫存储正准备进入NAND闪存市场，版图
长鑫存储长江存储长鑫存储长江存储美光位列第三。进军目前全球NAND闪存市场由三星主导，闪存全球第四。有伴据TrendForce数据，国产并已设立研究院开展NAND开发项目。内存全球市场份额约12%。第扩意味着长鑫将从DRAM赛道向存储全品类扩展，版图SK海力士排名第二，长鑫存储长江存储2026年一季度营收同比增长100%，进军长鑫存储作为国内DRAM领域的闪存龙头，计划在北京新工厂建设一条NAND闪存研发生产线，国内已有长江存储，目前在合肥和北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，
9月18日消息，其中一家新成立的初创公司计划采购长鑫的NAND芯片，
目前研发生产线何时开始运营尚不清楚，长鑫存储已与客户就NAND闪存计划展开沟通，产能规模居中国第一、
此次跨界进入NAND闪存，凭借自研Xtacking架构在3D NAND方向实现突破，用于AI系统和超级计算机的存储产品，据报道，长鑫是否从研发试产阶段转向大规模商业化制造也未有定论。
在NAND领域，